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SI4401 DDY-T 1- poderdo MOSFET de GE3
Solução do interruptor da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica
Este MOSFET é um de capacidade elevada, de baixa voltagem, transistor da baixa potência projetado para o uso em uma vasta gama de aplicações. Tem uma baixa carga da porta e uma baixa capacidade do porta-à-dreno e é apropriado para aplicações de comutação de alta frequência. Caracteriza uma baixa em-resistência e uma baixa tensão do ponto inicial. Este MOSFET igualmente caracteriza uma operação de baixo nível de ruído, que seja benéfica para aplicações ruído-sensíveis. É igualmente RoHS complacente e disponível em um pacote do padrão do setor.
• Tensão da Dreno-fonte: 100V
• Drene atual: 44A
• RDS (sobre): 0,02 Ω
• Tensão do ponto inicial da porta: 1.2V
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Dissipação de poder: 4.8W
• Montando o tipo: Montagem de superfície
• Pacote/caso: TO-252-3, DPak (2 ligações + abas)
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