Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solução do interruptor da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SI4401DDY-T1-GE3

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Solução do interruptor da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SI4401DDY-T1-GE3

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Number modelo :SI4401DDY-T1-GE3
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :16.1A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :15mOhm @ 10.2A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :95 nC @ 10 V
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SI4401 DDY-T 1- poderdo MOSFET de GE3

Solução do interruptor da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica

 

 

Este MOSFET é um de capacidade elevada, de baixa voltagem, transistor da baixa potência projetado para o uso em uma vasta gama de aplicações. Tem uma baixa carga da porta e uma baixa capacidade do porta-à-dreno e é apropriado para aplicações de comutação de alta frequência. Caracteriza uma baixa em-resistência e uma baixa tensão do ponto inicial. Este MOSFET igualmente caracteriza uma operação de baixo nível de ruído, que seja benéfica para aplicações ruído-sensíveis. É igualmente RoHS complacente e disponível em um pacote do padrão do setor.

 

 

• Tensão da Dreno-fonte: 100V
• Drene atual: 44A
• RDS (sobre): 0,02 Ω
• Tensão do ponto inicial da porta: 1.2V
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
• Dissipação de poder: 4.8W
• Montando o tipo: Montagem de superfície
• Pacote/caso: TO-252-3, DPak (2 ligações + abas)

 

 

 

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Solução do interruptor da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET SI4401DDY-T1-GE3

 

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