Poder do MOSFET da IRL 8113 PBF
Ponto baixo da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica no interruptor da resistência
IRL8113PBF é um MOSFET projetado para aplicações de comutação do poder eficiente e seguro. É aperfeiçoado para a baixa em-resistência e a baixa carga da porta, fazendo a apropriada para uma vasta gama de aplicações.
Parâmetros:
• Tensão da Dreno-fonte: 100V
• Corrente contínua do dreno: 10A
• Em-resistência da Dreno-fonte: 0.090Ω
• Carga da porta: 12nC
• Capacidade entrada: 700pF
• Temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Montando o tipo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-264-3
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Ponto baixo da baixa tensão do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET da IRL 8113 PBF no interruptor da resistência
