Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET do N-canal do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRFH5304TRPBF para aplicações da eletrônica de poder

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MOSFET do N-canal do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRFH5304TRPBF para aplicações da eletrônica de poder

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Number modelo :IRFH5304TRPBF
Lugar de origem :Mulit-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :22A (Ta), 79A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :4.5mOhm @ 47A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.35V @ 50µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :41 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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Lista do produto:

 

MOSFET DE IRFH5304TRPBF

 

Características:

 

• Modo do realce do N-canal

• tensão da Dreno-fonte 100V

• corrente contínua do dreno 4.2A

• Baixo RDS (sobre)

• Baixa carga da porta

• Porta do nível da lógica

• A avalancha 100% testou

 

• RoHS complacente

 

 

Aplicações:

 

 

• Conversores da eficiência elevada DC-DC

• Interruptores da fonte de alimentação

• Eletrônica automotivo

• Carga e linha regulamento

• Controlo do motor e inversores

MOSFET do N-canal do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRFH5304TRPBF para aplicações da eletrônica de poder

 

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