SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET Power Electronics Solução de alto desempenho e econômica
Descrição do produto:
O Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 é um MOSFET N-Channel que fornece manuseio de energia superior em uma variedade de aplicações.Este MOSFET foi projetado para oferecer excelente desempenho de comutação, baixa corrente de fuga, baixa carga de porta e baixa resistência.O SI2304DDS-T1-GE3 é adequado para uso em comutação de alta potência, gerenciamento de energia e outras aplicações de energia.
Características:
• Acionamento de portão de 4,8 V
• Baixa resistência
• Baixa carga de portão
• Baixa corrente de fuga
• Compatível com RoHS
• Sem chumbo
Especificações:
• Tensão da Fonte de Dreno (VDS): 30V
• Resistência no estado ligado da fonte de dreno (RDS(ligado)): 0,0095 Ohm
• Corrente de Drenagem Contínua (ID): 12A
• Corrente de Drenagem Pulsada (IDM): 25A
• Tensão de Gate-Source (VGS): -5V a +4,8V
• Dissipação de energia (Pd): 3W
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