Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Soluções de comutação da Alto-confiança de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF2805PBF

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Soluções de comutação da Alto-confiança de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF2805PBF

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Number modelo :IRF2805PBF
Lugar de origem :Mulit-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Número baixo do produto :IRF2805PBF
Drene à tensão da fonte (Vdss) :55 V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :4.7mOhm @ 104A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :230 nC @ 10 V
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Lista do produto:

 

Transistor do MOSFET de IRF2805PBF

 

O transistor do MOSFET de IRF2805PBF é um transistor do efeito de campo do realce-modo do N-canal que caracterize uma baixa em-resistência e uma baixa tensão do ponto inicial da porta-à-fonte. Este dispositivo é usado tipicamente em aplicações de comutação tais como o controlo do motor, os motoristas do relé, e as outras aplicações que exigem o interruptor alto-atual.

 

Características chaves:


• transistor do efeito de campo do realce-modo do N-canal
• Baixa em-resistência
• Baixa tensão do ponto inicial da porta-à-fonte
• capacidade de comutação Alto-atual
• Variação da temperatura de funcionamento -55°C a +150°C
• Corrente máxima do dreno: 55A
• Tensão máxima da dreno-fonte: 500V
• Tensão máxima da porta-fonte: +/- 20V
• Dissipação de poder máxima: 153W

Soluções de comutação da Alto-confiança de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRF2805PBF

 

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