Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Transistor de potência MOSFET de canal N SI2305CDS-T1-GE3 para aplicações de comutação de alta velocidade

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Transistor de potência MOSFET de canal N SI2305CDS-T1-GE3 para aplicações de comutação de alta velocidade

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Number modelo :SI2305CDS-T1-GE3
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :8 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :5.8A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :30 nC @ 8 V
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Transistor de potência MOSFET de canal N SI2305CDS-T1-GE3 para aplicações de comutação de alta velocidade

Características do produto:

• MOSFET de canal N
• Tensão dreno-fonte de 30 V
• 0,005Ω resistência máxima no estado
• Corrente de drenagem contínua de 1,5A (Tc)
• Pacote de montagem em superfície
• Compatível com RoHS
• Baixa carga de portão
• Sem chumbo

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