Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FET da porta do nível da lógica do canal da baixa tensão único N do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML5103TRPBF

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FET da porta do nível da lógica do canal da baixa tensão único N do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML5103TRPBF

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Number modelo :IRLML5103TRPBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :760mA (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :600mOhm @ 600mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :5,1 nC @ 10 V
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FET da porta do nível da lógica do canal da baixa tensão único N do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML5103TRPBF

 

Montagem 25W de superfície do N-canal 20V 4.2A do MOSFET de IRLML5103TRPBF (Tc) (Tc) PowerPAK 1212-8

 

Descrição do produto:

Este MOSFET de IRLML5103TRPBF é um transistor do efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal em um pacote de PowerPAK 1212-8. Tem uma avaliação da tensão da dreno-fonte de 20V, uma avaliação da tensão da porta-fonte de ±20V, e uma avaliação atual do dreno de 4.2A (Tc). Igualmente caracteriza uma dissipação de poder máxima de 25W (Tc). Este MOSFET é projetado para o uso em conversores de DC-DC, na lógica digital, no controlo do motor, e em outras aplicações de uso geral. Oferece o desempenho térmico superior e é apropriado para aplicações de comutação de alta frequência.

 

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