Poder do MOSFETde SPW 24N60C3
Ponto baixo da eficiência elevada do poder superior do transistor na resistência
Parâmetros:
- Drene a tensão da fonte (VDS): 600V
- Drene a corrente (identificação): 24A
- Tensão de fonte de porta (VGS): ±20V
- Dissipação de poder (paládio): 150W
- RDS (SOBRE): 0.077Ω
- Temperatura de junção máxima (Tj): 150°C
- Polaridade do transistor: N-canal
- Montando o tipo: Através do furo
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