Características do MOSFET do N-canalde Infineon BSC 052N08NS5ATMA 1:
• Baixa Em-resistência RDS (sobre)
• Baixa carga Qg da porta
• Baixa tensão dianteira VF
• Facilidade da paralelização
• Baixa tensão VGS do ponto inicial (th)
• Capacidade aumentada de dv/dt
• Avalancha avaliada
• Halogênio-livre de acordo com IEC 61249 - 2- 21
• Especificações complacentes de RoHS
• Drene à tensão da fonte: 800 V
• Identificação atual do dreno contínuo: 52 A
• Tensão VGS do ponto inicial da porta (th): 4 V
• Em-resistência RDS (sobre): 0,0055 Ω
• Carga Qg da porta: 25 nC
• Gfs dianteiros da transcondutância: 24,7 S
• Paládio da dissipação de poder: 280 W
• Temperatura de funcionamento: -55 °C ao°C 175
• Pacote: TO-252-3 (DPAK)
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