Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET da eletrônica de poder do MOSFET de IRLR3410TRLP para o desempenho superior

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Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET da eletrônica de poder do MOSFET de IRLR3410TRLP para o desempenho superior

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Number modelo :IRLR3410TRLPBF
Lugar de origem :Mulit-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Número baixo do produto :IRLR3410TRLPBF
Drene a tensão da fonte (Vdss) :100V
rive a tensão (Max Rds On, Min Rds On) :4V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :105mOhm @ 10A, 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :800 PF @ 25 V
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Lista do produto:

 

MOSFET DE IRLR3410TRLPBF

 

Características:

 

• Baixa em-resistência da dreno-fonte
• Ultra-baixa carga da porta
• tensão da dreno-fonte 100V
• tensão da porta-fonte 10V
• Baixa capacidade de saída da porta
• RoHS complacente
• pacote Pb-livre

 

Especificações:


• Tensão da Dreno-fonte: 100V
• Tensão da Porta-fonte: 10V
• Drene atual (contínuo): 34A
• Drene atual (pulsado): 68A
• Em-resistência da Dreno-fonte: 4.8mΩ
• Escapamento da Porta-fonte: 10nA
• Escapamento do Porta-dreno: 10nA
• Transcondutância dianteira: 12.7S
• Capacidade entrada: 47pF
• Capacidade de saída: 11pF
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C
• Pacote: TO-252

 

Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET da eletrônica de poder do MOSFET de IRLR3410TRLP para o desempenho superior

 

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