Lista de produtos:
MOSFET IRFI4212H-117P
Descrição do produto:
Este MOSFET é um dispositivo avançado de alta tensão, alta velocidade e baixa resistência projetado para aplicações de comutação de alto desempenho.Ele é construído com a mais recente tecnologia HEXFET e oferece eficiência superior, baixa carga de porta e velocidades de comutação rápidas.
Características principais:
• Tensão máxima da fonte de dreno (VDS): 600V
• Corrente máxima de dreno (ID): 112A
• RDS máximo(ligado): 0,0095Ω
• Corrente de Drenagem Pulsada Máxima (IDM): 224A
• Ciss: 1808pF
• Tensão limite do portão (VGS): 4V
• Temperatura operacional máxima (Tj): 175°C
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