Eletrônica de poder do MOSFET SIRA20DP-T1-RE3
Soluções de comutação do poder do elevado desempenho da eficiência elevada
Descrição:
Este MOSFET do modo do realce do N-canal é um transistor de alta velocidade, de baixa voltagem com características de comutação excelentes. É ideal para a gestão do poder e aplicações de comutação.
Parâmetros:
- Tensão de funcionamento: 20V
- Tensão da Dreno-fonte: 20V
- Tensão da Porta-fonte: ±20V
- Corrente contínua do dreno: 20A
- Dissipação de poder: 140W
- Em-resistência da Dreno-fonte: 0.082Ohm
- Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
- Tipo do pacote: TO-220
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