Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solução da eletrônica de poder do poder superior do elevado desempenho do MOSFET de IRFB4227PBF

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Solução da eletrônica de poder do poder superior do elevado desempenho do MOSFET de IRFB4227PBF

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Number modelo :IRFB4227PBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :65A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :24mOhm @ 46A, 10V
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Elevado desempenho do MOSFET de IRFB 4227 PBF

Solução da eletrônica de poder do poder superior

 

 

Descrição:

 

O IRFB4227PBF é um MOSFET do N-canal com uma tensão máxima da fonte do dreno de 200V. Tem uma corrente de fonte do dreno de 8.5A, uma tensão do ponto inicial da porta de 4V, e uma dissipação de poder máxima de 32W. Este MOSFET é ideal para o uso em aplicações de alta potência tais como o controlo do motor, a iluminação, e a gestão do poder. O IRFB4227PBF é RoHS complacente e é fabricado em um pacote TO-220.

 

 

Parâmetros:

 

• Tensão máxima da fonte do dreno: 200V
• Corrente de fonte do dreno: 8.5A
• Tensão do ponto inicial da porta: 4V
• Dissipação de poder máxima: 32W
• RoHS complacente
• Pacote: TO-220

 

 

 

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