Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET do poder superior de IRFB3306PBF para aplicações da eletrônica de poder

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MOSFET do poder superior de IRFB3306PBF para aplicações da eletrônica de poder

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Number modelo :IRFB3306PBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
DATILOGRAFE a DESCRIÇÃO a categoria SELETA os FETs discretos dos transistor dos produtos de semicond :60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :4.2mOhm @ 75A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 150µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :120 nC @ 10 V
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MOSFET do poder superior de IRFB3306PBF para aplicações da eletrônica de poder

 

 

MOSFET do poder de IRFB3306PBF

Parâmetros:

 

VDS - 100V
Identificação - 30A
RDS (sobre) - 0,0088 ohms
Fabricante: Retificador internacional
Tipo do pacote: TO-220
Tensão máxima do ponto inicial da porta: 4V
Tensão máxima da fonte do dreno: 100V
Corrente máxima do dreno: 30A
Dissipação de poder máxima: 13W
Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C
Montando o tipo: Através do furo

 

 

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