Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET do IRF 6217 TRPBF para aplicações atuais altas
Parâmetros:
• Pacote: TO-220
• Tipo do transistor: N-canal
• Vds – tensão de divisão da Dreno-fonte: 100V
• Identificação – corrente contínua do dreno: 25A
• RDS – na resistência da Dreno-fonte: 0,02 ohms
• Vgs – tensão da Porta-fonte: ±20V
• Dissipação de poder: 80W
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Polaridade: N-canal
• Montando o tipo: Através do furo
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