Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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De baixa voltagem de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML0100TRPBF (Sobre) transistor Baixo-RDS

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De baixa voltagem de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML0100TRPBF (Sobre) transistor Baixo-RDS

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Number modelo :IRLML0100TRPBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :1.6A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :220mOhm @ 1.6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 25µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :2,5 nC @ 4,5 V
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Transistor Baixo-RDS de baixa voltagem de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML0100TRPBF (sobre)

 

Lista do produto:

MOSFET DE IRLML0100TRPBF

 

Descrição do produto:

O IRLML0100TRPBF é um MOSFET do modo do realce do N-canal com uma baixa em-resistência e uma velocidade de comutação rápida. É apropriado para uma vasta gama de aplicações que incluem o interruptor, o deslocamento do nível e a amplificação de uso geral.

 

Características do produto:

• MOSFET do modo do realce do N-canal
• Baixa Em-resistência: RDS (SOBRE) = 0,01 ohms (máximo)
• Velocidade de comutação rápida: tf = 12ns (tipo)
• Baixa capacidade entrada: Ciss = 120pF (tipo)
• Baixa tensão do Porta-ponto inicial: VGS (th) = 0.8V (máximo)
• RoHS complacente

 

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De baixa voltagem de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IRLML0100TRPBF   (Sobre) transistor Baixo-RDS

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