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Lista de produtos:
MOSFET SIHG22N60E-GE3
Características:
- MOSFET de canal N de 600V
- Maior eficiência e desempenho de comutação superior
- Baixa capacitância de entrada e carga de porta
- Tensão limite de porta-fonte baixa
- 100% testado em avalanches
- Compatível com RoHS
Parâmetros elétricos:
- Tensão da Fonte de Dreno (Vds): 600V
- Corrente de Drenagem (Id): 22A
- Resistência no estado da fonte de dreno (Rds): 0,026ohm
- Tensão Gate-Source (Vgs): ±20V
- Tensão limite do portão (Vth): 1,9V
- Corrente de Drenagem Contínua (Id): 22A
- Dissipação de Potência (Pd): 229w
- Estilo da caixa do transistor: TO-220F
- Nº de pinos: 3 pinos
Por que comprar de nós >>> Rápido / Seguro / Conveniente
• A SKL é uma empresa de estoque e comércio de componentes eletrônicos. Nossas filiais incluem China, Hong Kong, Sigapore, Canadá.Ofereça negócios, serviços, recursos e informações para nosso membro global.
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Como comprar >>>
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Serviço >>>
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