Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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SIHG22N60E-GE3 Eletrônica de Potência MOSFET: Alto Desempenho Ultra-Baixo On-Resistance Low Gate Charge e Baixa Capacitância

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SIHG22N60E-GE3 Eletrônica de Potência MOSFET: Alto Desempenho Ultra-Baixo On-Resistance Low Gate Charge e Baixa Capacitância

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Number modelo :SIHG22N60E-GE3
Lugar de origem :Mult-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Ativo
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :21A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
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Lista de produtos:

MOSFET SIHG22N60E-GE3

Características:

- MOSFET de canal N de 600V

- Maior eficiência e desempenho de comutação superior

- Baixa capacitância de entrada e carga de porta

- Tensão limite de porta-fonte baixa

- 100% testado em avalanches

- Compatível com RoHS

Parâmetros elétricos:

- Tensão da Fonte de Dreno (Vds): 600V

- Corrente de Drenagem (Id): 22A

- Resistência no estado da fonte de dreno (Rds): 0,026ohm

- Tensão Gate-Source (Vgs): ±20V

- Tensão limite do portão (Vth): 1,9V

- Corrente de Drenagem Contínua (Id): 22A

- Dissipação de Potência (Pd): 229w

- Estilo da caixa do transistor: TO-220F

- Nº de pinos: 3 pinos

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