Eletrônica de potência MOSFET de alto desempenho IPW60R070C6 para eficiência e confiabilidade ideais
Descrição do produto:
O IPW60R070C6 é um MOSFET de potência de modo de aprimoramento N-Channel.Este dispositivo foi projetado para suportar alta energia nos modos de avalanche e comutação.É especialmente adequado para aplicações de comutação de alta tensão e alta velocidade.
Especificações do produto:
• tensão dreno-fonte: 60V
• corrente de dreno: 70A
• resistência no estado ligado da fonte de dreno: 0,065Ω
• tensão porta-fonte: ±20V
• dissipação de energia: 270W
• faixa de temperatura operacional: -55°C a 150°C
• faixa de temperatura de armazenamento: -55°C a 150°C
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