Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IRLML0100TRPBF MOSFET Alto Desempenho Alta Eficiência Baixo RDS(ON) Eletrônica de Potência

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IRLML0100TRPBF MOSFET Alto Desempenho Alta Eficiência Baixo RDS(ON) Eletrônica de Potência

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Number modelo :IRLML0100TRPBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :1.6A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :220mOhm @ 1.6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.5V @ 25µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :2,5 nC @ 4,5 V
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IRLML0100TRPBF MOSFET Alto Desempenho Alta Eficiência Baixo RDS(ON) Eletrônica de Potência

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MOSFET IRLML0100TRPBF

Descrição do produto:
Este é um MOSFET de potência de canal N projetado para aplicações de comutação de baixa tensão e alta corrente.Ele foi projetado para ser usado em aplicações como amplificadores de áudio, conversores DC-DC, drivers de motores DC, gerenciamento de bateria e circuitos de gerenciamento de energia.

Características:
- Baixa resistência de ativação RDS(ligado): 0,0075Ω @ VGS = 10V
- Corrente Máxima de Dreno: 6,5A
- Tensão máxima da fonte de drenagem: 30V
- Tensão Limite Máxima do Gate: 4V
- Temperatura Máxima de Operação da Junção: 175°C
- Classificação MSL: MSL1
- Tipo de pacote: SOT-23

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