Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IPW65R110CFD para o controle da automatização

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Solução de capacidade elevada da eletrônica de poder do MOSFET de IPW65R110CFD para o controle da automatização

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Number modelo :IPW65R110CFD
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tensão da Dreno-fonte (VDS) :30V
Tensão da Porta-fonte (VGS) :±20V
Corrente contínua do dreno (identificação) :110A
Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)) :0.0065Ω
Temperatura de funcionamento :-55°C a 150°C
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Solução de capacidade elevadada eletrônicade poderdo MOSFET de IPW 65R110CFD para o controle da automatização

 

 

MOSFET do poder do N-canal de IPW65R110CFD

Descrição do produto:

O MOSFET do poder do N-canal de IPW65R110CFD é um dispositivo de alta velocidade, de pequenas perdas projetado para o uso nas aplicações da gestão do poder onde uma baixa em-resistência é desejada. Este MOSFET caracteriza um motorista integrado da porta, que forneça uma solução de comutação rápida e robusta. Com suas baixas capacidades de manipulação atuais do RDS (sobre) e do alto-lado, o IPW65R110CFD é ideal para uma vasta gama de aplicações.

 

Características do produto:

• Interruptor de alta velocidade
• Baixa Em-resistência
• Motorista integrado da porta
• Capacidade de manipulação atual do Alto-lado
• RoHS complacente

 

Especificações de produto:

• Tensão da Dreno-fonte (VDS): 30V
• Tensão da Porta-fonte (VGS): ±20V
• Corrente contínua do dreno (identificação): 110A
• Em-resistência da Dreno-fonte (RDS (sobre)): 0.0065Ω
• Pacote: TO-252 (D-PAK)
• Temperatura de funcionamento: -55°C a 150°C

 

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