Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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SI5855CDC-T1-E3: Eletrônica de poder Alto-atual do MOSFET para o desempenho seguro

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SI5855CDC-T1-E3: Eletrônica de poder Alto-atual do MOSFET para o desempenho seguro

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Number modelo :SI5855CDC-T1-E3
Lugar de origem :Mult-origem
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-7days
Detalhes de empacotamento :Padrão
Estado do produto :Obsoleto
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :3.7A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :1.8V, 4.5V
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Lista do produto:

Nome do produto: SI5855CDC-T1-E3
Tipo de produto: MOSFET
Configuração: Único
Drene à tensão da fonte (Vdss): 55V
Porta à tensão da fonte (Vgss): ±20V
Corrente contínua do dreno (identificação): 4A
Dissipação de poder máxima (paládio): 1.5W
RDS (sobre): 0.05Ω
Harmonização do RDS (sobre): 2mΩ
Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
Temperatura de junção máxima (Tj): °C 175

 

 

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