Lista do produto:
MOSFET do N-canal do silicone 20N50C-E3
Características:
• Baixa em-resistência RDS (sobre)
• Baixa carga da porta
• Baixa tensão do ponto inicial
• Capacidade atual alta
• Interruptor de alta velocidade
• Confiança alta
• A energia da avalancha avaliou
• O ESD avaliou
• RoHS complacente
Especificações:
• Drene à tensão da fonte (VDS): 500V
• Corrente contínua do dreno (identificação): 20A
• Na resistência (RDSon): 4.7mohm
• Porta à tensão da fonte (VGS): ±20V
• Dissipação de poder (paládio): 145W
• Temperatura do funcionamento e de armazenamento: -55 a 150
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