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LND 150K1- o MOSFET do poder superior de G avançou FETs das aplicações da eletrônica de poder
MOSFET do poder de LND150K1-G
Descrição do produto:
O MOSFET do poder de LND150K1-G é um dispositivo de capacidade elevada projetado fornecer o desempenho de comutação superior e a baixa resistência do em-estado. É projetado cumprir as exigências de aplicações do poder superior tais como conversores de DC-DC, controladores do motor e sistemas de gestão do poder. O dispositivo caracteriza uma tensão do baixo-ponto inicial que permita uma eficiência mais alta nestas aplicações. Igualmente caracteriza uma baixa carga da porta, uma baixa capacidade da porta-fonte, e um diodo integrado da rápido-recuperação para a confiança melhorada.
Parâmetros do produto:
• Tensão da Dreno-fonte: 600V
• Tensão da Porta-fonte: ± 20V
• Drene atual: 150A
• Resistência do Em-estado: 0.0025Ω
• Tensão do ponto inicial: 2.5V
• Dissipação de poder: 350W
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C
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