DN3545 N3- alta velocidade do N-canal da eletrônica de poder do MOSFET de G que liga baixo a resistência
Descrição do produto:
A eletrônica de poder do MOSFET de DN3545N3-G dos diodos Incorporated é uma escolha perfeita para aplicações de comutação do poder do alto-lado. Este dispositivo inclui um motorista integrado da porta, assim como um diodo interno do corpo para a proteção atual reversa. Apoia uma baixa tensão da porta-à-fonte com uma em-resistência muito baixa de 3.5mΩ, fazendo a ideal para as aplicações que exigem o interruptor eficiente do poder.
Parâmetros do produto:
• Pacote: DPAK
• Tensão máxima da fonte do dreno: 35V
• Tensão de fonte de porta máxima: ±20V
• Corrente máxima do dreno: 45A
• Drene a fonte na resistência: 3.5mΩ
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
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