Soluçãoseguradoelevado desempenhodaeletrônicadoMOSFETdopoderdo TN2124K1-G
Lista do produto:
Eletrônica de poder do MOSFET de TN2124K1-G
Descrição:
O TN2124K1-G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET com uma baixa em-resistência e uma baixa carga da porta. É ideal para aplicações da conversão de poder tais como inversores e conversores de DC/DC. Caracteriza uma baixa tensão do ponto inicial, uma velocidade rapidamente de comutação, e um desempenho térmico excelente.
Parâmetros:
- Tensão da Dreno-fonte: 100V
- Tensão da Porta-fonte: ±20V
- Em-resistência estática da Dreno-fonte: 9.5mΩ
- Corrente contínua máxima do dreno: 15A
- Temperatura de junção de funcionamento: -55°C ~ 150°C
- Dissipação de poder máxima: 0.95W
- Empacotamento: TO-252-3L
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