TN5335 N8- eficiência superior do N-canal do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de G
Lista do produto:
Eletrônica de poder do MOSFET de TN5335N8-G
O TN5335N8-G é um módulo de eletrônica do poder do MOSFET que ofereça o desempenho, a confiança, e a eficiência proeminentes para uma vasta gama de aplicações. Caracteriza uma tensão da dreno-fonte 60V, uma corrente contínua máxima do dreno de 5A, e uma dissipação de poder máxima de 15W. O TN5335N8-G igualmente tem uma baixa resistência do em-estado de 0.41Ω, extremamente - uma baixa carga da porta de 1.2nC, e um desempenho térmico excelente com uma temperatura de junção máxima de 150°C. Seu tamanho do pacote pequeno de 2.3mm x de 2.3mm faz ideal para placas e aplicações do alto densidade.
Características:
• tensão da dreno-fonte 60V
• Corrente contínua máxima do dreno de 5A
• Dissipação de poder máxima de 15W
• Baixa resistência do em-estado de 0.41Ω
• Extremamente - baixa carga da porta de 1.2nC
• Temperatura de junção máxima de 150°C
• Tamanho do pacote de 2.3mm x de 2.3mm
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