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Resistência atual alta de alta tensão da eletrônica de poder do MOSFET de IRFP3206PBF baixa
MOSFET de IRFP3206PBF, N-canal, 200V, 69A, 55mOhm
Descrição do produto:
O MOSFET de IRFP3206PBF é um MOSFET altamente eficiente do N-canal projetado para o uso em aplicações de comutação do poder superior. Este dispositivo oferece uma avaliação da tensão da dreno-fonte 200V e uma corrente máxima do dreno de 69A. Igualmente fornece uma baixa em-resistência de 55mOhm. Este MOSFET é apropriado para uma variedade de aplicações que exigem o interruptor do poder superior.
Características:
- MOSFET do N-canal
- Tensão da Dreno-fonte: 200V
- Corrente máxima do dreno: 69A
- Em-resistência: 55mOhm
- Eficiência elevada
- Vasta gama de aplicações
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