Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Eletrônica de poder do MOSFET de IRFP3206PBF Baixa resistência atual alta de alta tensão

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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:DANDAN
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Eletrônica de poder do MOSFET de IRFP3206PBF Baixa resistência atual alta de alta tensão

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Number modelo :IRFP3206PBF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :120A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :3mOhm @ 75A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 150µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :170 nC @ 10 V
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Resistência atual alta de alta tensão da eletrônica de poder do MOSFET de IRFP3206PBF baixa

 

MOSFET de IRFP3206PBF, N-canal, 200V, 69A, 55mOhm

Descrição do produto:

O MOSFET de IRFP3206PBF é um MOSFET altamente eficiente do N-canal projetado para o uso em aplicações de comutação do poder superior. Este dispositivo oferece uma avaliação da tensão da dreno-fonte 200V e uma corrente máxima do dreno de 69A. Igualmente fornece uma baixa em-resistência de 55mOhm. Este MOSFET é apropriado para uma variedade de aplicações que exigem o interruptor do poder superior.

 

Características:

- MOSFET do N-canal
- Tensão da Dreno-fonte: 200V
- Corrente máxima do dreno: 69A
- Em-resistência: 55mOhm
- Eficiência elevada
- Vasta gama de aplicações

 

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Eletrônica de poder do MOSFET de IRFP3206PBF   Baixa resistência atual alta de alta tensão

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