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NTA 7002 NT1 solução do interruptor do elevado desempenho da eletrônica de poder SC-75 do MOSFET deG
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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7Ohm @ 154mA, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 100µA
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Vgs (máximo)
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±10V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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20 PF @ 5 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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300mW (Tj)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SC-75, SOT-416
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Pacote/caso
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1. O NTA7002NT1G é um MOSFET do P-canal no semicondutor. É um dispositivo de poder abrigado em um pacote SC-75 com uma dissipação de poder máxima de 2W. Este MOSFET tem uma baixa em-resistência de 4.5Ohms e uma tensão de divisão de -20V. É uma escolha ideal para o vário interruptor e aplicações lineares, assim como para a gestão do poder e a proteção da bateria.
2. O MOSFET de NTA7002NT1G é construído para as aplicações de capacidade elevada que exigem a baixa em-resistência e uma avaliação atual alta. Igualmente tem um processo avançado da fabricação que assegure a baixa carga da porta, a baixa capacidade da entrada e a baixa capacidade de saída. Isto faz apropriado para aplicações de comutação de alta velocidade.
3. O MOSFET de NTA7002NT1G caracteriza um de capacidade elevada, o projeto da baixa potência que é apropriado para uma vasta gama de aplicações. Este MOSFET pode segurar até 2A da corrente contínua, e sua baixa em-resistência assegura uma gota da baixa tensão, perda de poder da diminuição. Este MOSFET é igualmente RoHS complacente e UL certificado, fazendo lhe uma escolha segura para o múltiplo
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