Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Conversão de poder da eficiência elevada do dispositivo da eletrônica de poder TO-236-3 do MOSFET de NTR5105PT1G

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Conversão de poder da eficiência elevada do dispositivo da eletrônica de poder TO-236-3 do MOSFET de NTR5105PT1G

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Number modelo :NTR5105PT1G
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :60 V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Conversão de poder da eficiência elevadado dispositivoda eletrônica de poder TO-236-3 do MOSFET de NTR 5105 pinta1G

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
1 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
30,3 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
347mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote/caso

 

 

 

NTR5105PT1G é um MOSFET do modo do realce do N-canal que seja abrigado no pacote TO-236-3. Tem uma baixa em-resistência de 0,35 ohms e uma baixa carga da porta de 18 nC. É projetado para aplicações de comutação de alta velocidade tais como fontes de alimentação, controlo do motor e interruptor da carga. O dispositivo igualmente tem a baixa tensão do ponto inicial da porta, fazendo o apropriado para aplicações da baixa potência. A corrente máxima do dreno é 110A e a tensão máxima da dreno-fonte é 200V. Tem uma avaliação de alta temperatura de 175°C e uma baixa resistência térmica de 1.90°C/W. O NTR5105PT1G é RoHS complacente e é apropriado para aplicações de comutação de alta frequência.

 

 

O NTR5105PT1G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET em um pacote TO-236-3. É projetado fornecer o desempenho ótimo em aplicações de alta tensão. Com suas baixa em-resistência e épocas de comutação rápidas, é ideal para as aplicações que exigem a eficiência elevada e as saídas de potência. O NTR5105PT1G tem uma tensão máxima da dreno-fonte de 100V e uma corrente máxima do dreno de 14A. Igualmente tem uma tensão máxima do ponto inicial da porta de 1.5V, fazendo o apropriado para o uso com baixas tensões da movimentação da porta. Sua em-resistência máxima da dreno-fonte é 1.4Ω em 10V e tipicamente em 0.6Ω em 4.5V, permitindo que segure grandes quantidades de poder com perdas mínimas.

 

 

O NTR5105PT1G é projetado para a durabilidade e a confiança, com uma temperatura de funcionamento máximo de 175°C e de um circuito de proteção integrado do ESD. Tem um desempenho de comutação de alta frequência com uma estadia de ligação máxima de 1.3µs e uma estadia máxima da volta-fora de 2.6µs. Isto faz apropriado para as aplicações que exigem o interruptor rápido, tal como a conversão do controlo do motor e de poder.

 

 

 

 

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