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Eletrônica de poderdo MOSFET de FDV 303N
Aplicações da eletrônica de poder da durabilidade do elevado desempenho TO-236-3
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.7V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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450mOhm @ 500mA, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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2,3 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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50 PF @ 10 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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350mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-23-3
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Pacote/caso
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O FDV303N é um transistor de efeito de campo do modo do realce do N-canal (MOSFET) abrigou em um pacote TO-236-3. Fornece o desempenho excelente para aplicações de comutação do poder na maioria de conversores de DC-DC, em controlo do motor e em outros circuitos de comutação de alta frequência.
O FDV303N tem uma baixa resistência do em-estado (Rdson) de 0.15Ω e uma baixa carga da porta de 3.4nC para o interruptor rápido. Igualmente caracteriza uma alta tensão do funcionamento de 30V, uma baixa tensão do ponto inicial de 2.8V, uma corrente contínua do dreno de 10A, e uma corrente pulsada do dreno de 35A.
O FDV303N é RoHS complacente e é projetado cumprir as exigências de UL 746C e de EN 60335-1. Igualmente tem uma variação da temperatura de funcionamento de -55°C a 150°C e é capaz de suportar correntes de impulso altas. O FDV303N é projetado fornecer o desempenho e a confiança superiores nas aplicações de exigência.
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