Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Aplicações de exigência da confiança da eficiência elevada da eletrônica de poder SC-70 do MOSFET de NVS4001NT1G

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Aplicações de exigência da confiança da eficiência elevada da eletrônica de poder SC-70 do MOSFET de NVS4001NT1G

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Number modelo :NVS4001NT1G
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Aplicações de exigência da confiançada eficiência elevadada eletrônica de poder SC-70 do MOSFET de NVS 4001 NT1G

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
1.5Ohm @ 10mA, 4V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
1,3 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
33 PF @ 5 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
330mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SC-70-3 (SOT323)
Pacote/caso

 

 

 

 

O NVS 4001 NT1G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do pacote SC-70 fabricado perto no semicondutor. Este MOSFET tem uma avaliação da tensão da dreno-fonte de 20 V, uma corrente do dreno de 200 miliampères e um RDS (sobre) de 0,95 Ω. É ideal para o uso na baixa tensão, as aplicações da baixa potência tais como conversores de DC-DC, os interruptores da carga, e os circuitos de proteção da bateria. O NVS 4001 NT1G caracteriza épocas de comutação rápidas, a baixa carga da porta, e uma baixa resistência do em-estado. É igualmente inclui uma variedade de características de proteção tais como a proteção reversa da polaridade, a proteção do ESD, e a proteção da sobretensão. Este MOSFET está disponível em uma variedade de pacotes e é RoHS complacente.

 

 

Este dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET é projetado comutar rapidamente e confiantemente com uma baixa em-resistência do mΩ 8, fazendo lhe uma escolha ideal para aplicações de capacidade elevada, de alta potência. A baixa carga da porta de 5,8 nC assegura velocidades de comutação rápidas e a eficiência de poder melhorada. O dispositivo caracteriza uma avaliação de alta tensão de 30 V e uma corrente contínua do dreno de 2,4 A, fazendo a apropriada para uma vasta gama de aplicações.

 

 

 

 

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