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Aplicações de exigência da confiançada eficiência elevadada eletrônica de poder SC-70 do MOSFET de NVS 4001 NT1G
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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1.5Ohm @ 10mA, 4V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 100µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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1,3 nC @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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33 PF @ 5 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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330mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SC-70-3 (SOT323)
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Pacote/caso
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O NVS 4001 NT1G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do pacote SC-70 fabricado perto no semicondutor. Este MOSFET tem uma avaliação da tensão da dreno-fonte de 20 V, uma corrente do dreno de 200 miliampères e um RDS (sobre) de 0,95 Ω. É ideal para o uso na baixa tensão, as aplicações da baixa potência tais como conversores de DC-DC, os interruptores da carga, e os circuitos de proteção da bateria. O NVS 4001 NT1G caracteriza épocas de comutação rápidas, a baixa carga da porta, e uma baixa resistência do em-estado. É igualmente inclui uma variedade de características de proteção tais como a proteção reversa da polaridade, a proteção do ESD, e a proteção da sobretensão. Este MOSFET está disponível em uma variedade de pacotes e é RoHS complacente.
Este dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET é projetado comutar rapidamente e confiantemente com uma baixa em-resistência do mΩ 8, fazendo lhe uma escolha ideal para aplicações de capacidade elevada, de alta potência. A baixa carga da porta de 5,8 nC assegura velocidades de comutação rápidas e a eficiência de poder melhorada. O dispositivo caracteriza uma avaliação de alta tensão de 30 V e uma corrente contínua do dreno de 2,4 A, fazendo a apropriada para uma vasta gama de aplicações.
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