Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Solução segura TO-236-3 da fonte de alimentação do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de FDN338P

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Solução segura TO-236-3 da fonte de alimentação do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de FDN338P

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Number modelo :FDN338P
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±8V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Solução segura TO-236-3 da fonte de alimentação do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de FDN338P

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
115mOhm @ 1.6A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
6,2 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±8V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
451 PF @ 10 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3
Pacote/caso

 

 

 

O FDN 338P é um MOSFET de alta potência do realce-modo do N-canal com um pacote TO-236-3. É projetado para a baixa tensão, aplicações de comutação atuais, de alta velocidade altas. Caracteriza a baixa resistência do em-estado, a operação de alta frequência e o baixo poder da movimentação da porta. Com uma tensão de divisão da dreno-fonte de 100V, este MOSFET pode segurar uma tensão da saída de até 80V. A capacidade atual alta do FDN 338P permite que apoie aplicações da densidade da eficiência elevada e de poder. As velocidades de comutação rápidas do MOSFET e da impedância alta da entrada para permitir a operação de alta velocidade e baixas perdas de comutação. O pacote TO-236-3 fornece uma pegada da espaço-economia para o MOSFET, fazendo a apropriada para aplicações do alto densidade. O FDN 338P é apropriado para o uso em aplicações automotivos, industriais, e do consumidor.

 

 

 

 

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