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Solução segura TO-236-3 da fonte de alimentação do elevado desempenho da eletrônica de poder do MOSFET de FDN338P
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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115mOhm @ 1.6A, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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6,2 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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451 PF @ 10 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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500mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-23-3
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Pacote/caso
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O FDN 338P é um MOSFET de alta potência do realce-modo do N-canal com um pacote TO-236-3. É projetado para a baixa tensão, aplicações de comutação atuais, de alta velocidade altas. Caracteriza a baixa resistência do em-estado, a operação de alta frequência e o baixo poder da movimentação da porta. Com uma tensão de divisão da dreno-fonte de 100V, este MOSFET pode segurar uma tensão da saída de até 80V. A capacidade atual alta do FDN 338P permite que apoie aplicações da densidade da eficiência elevada e de poder. As velocidades de comutação rápidas do MOSFET e da impedância alta da entrada para permitir a operação de alta velocidade e baixas perdas de comutação. O pacote TO-236-3 fornece uma pegada da espaço-economia para o MOSFET, fazendo a apropriada para aplicações do alto densidade. O FDN 338P é apropriado para o uso em aplicações automotivos, industriais, e do consumidor.
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