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NTMFS 5C460NÃO MENOS de 1 eletrônica de poder do MOSFET deG
ponto baixo da eficiência de poder superior 8-PowerTDFN em fontes do modo do interruptor da resistência
Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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4.5mOhm @ 35A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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23 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1300 PF @ 20 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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3.6W (Ta), 50W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Pacote/caso
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O NTMFS5C460NLT1G é um dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do N-canal fabricado perto no semicondutor. É projetado fornecer soluções atuais altas da gestão do interruptor e do poder em uma vasta gama de aplicações. O dispositivo é abrigado em um pacote 8-PowerTDFN, que ofereça um perfil baixo e seja ideal para aplicações espaço-forçadas. Sua tecnologia de processamento avançada oferece rapidamente a comutação e a baixa em-resistência para uma eficiência mais alta, perdas de poder reduzidas e o desempenho do sistema total melhorado.
O NTMFS5C460NLT1G caracteriza um diodo interno da proteção do ESD, que forneça a proteção contra a descarga eletrostática (ESD) e melhore a confiança do dispositivo. Suas configuração da fonte comum e baixa tensão do ponto inicial para fazê-la apropriada para a comutação, o nível deslocando e para sinalizar aplicações do acondicionamento.
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