Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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NTMS 4177 EMPARELHA 2G 8- o P-canal 30 V do módulo de eletrônica do poder do MOSFET de SOIC A 11,4
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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12mOhm @ 11.4A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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2.5V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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55 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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3100 PF @ 24 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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840mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-SOIC
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Pacote/caso
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Lista do produto:
Na eletrônica de poder do MOSFET do N-canal do semicondutor NTMS4177PR2G
Parâmetros do produto:
• Pacote: 8-SOIC
• Tensão da Dreno-fonte: 40V
• Drene atual: 34A
• RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: 4,1 mOhm @ 34A, 10V
• Carga da porta (Qg) @ Vgs: 15.9nC @ 10V
• Poder – máximo: 5.6W
• Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montando o tipo: Montagem de superfície
