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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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11mOhm @ 92A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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61 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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4510 PF @ 75 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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234W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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² PAK DE D (TO-263)
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Pacote/caso
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O FDB110N15A é um dispositivo eletrónico do poder do MOSFET do N-canal fabricado pelo semicondutor de Fairchild. Este dispositivo é abrigado TO-263-3 em um pacote, que seja um pacote superfície-montável pequeno que forneça o perfil baixo, desempenho térmico aumentado.
O FDB110N15A é projetado entregar o poder superior em um pacote compacto. Caracteriza uma baixa em-resistência que permita baixas perdas da condução, e uma baixa carga da porta que se reduza comutar perdas. Adicionalmente, este dispositivo é projetado fornecer velocidades de comutação rápidas e a baixa carga da porta para a operação eficiente do interruptor.
O FDB110N15A é ideal para o uso em uma variedade de aplicações tais como conversores de DC/DC, correção de fator de poder, controlo do motor, controle da iluminação, e outras aplicações de alta potência. Este dispositivo é RoHS complacente e encontra standard de segurança do UL e do CSA para a operação segura.
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