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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta)

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China N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta) wholesale
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N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta)
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Number modelo :FDMS8025S
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :24A (Ta), 49A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :2.8mOhm @ 24A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :3V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :47 nC @ 10 V
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N-Channel MOSFET Power Electronics - FDMS8025S com eficiência superior e tecnologia de confiabilidade 30 V 24A (Ta)

Tecnologia
MOSFET (Óxido Metálico)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C
24A (Ta), 49A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2,8mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-PQFN (5x6)
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN

Lista de produtos:

FDMS8025S N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Fabricante: ON Semiconductor

Parâmetros:

• Tensão da Fonte de Dreno: -20V

• Corrente de Drenagem Contínua: -25A

• RDS (ligado): -25 mOhm

• Dissipação de energia: -60W

• Temperatura de operação: -55°C a +150°C

• Embalagem: -TO-263

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