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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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1.5V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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1.4Ohm @ 100mA, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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0,7 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±8V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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15,8 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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120mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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3-XLLGA (0.62x0.62)
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Pacote/caso
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O NTNS 3193 NZT 5G é um dispositivo de alta velocidade da eletrônica de poder do MOSFET do N-canal projetado para o uso em aplicações de comutação de alta frequência. Caracteriza uma baixa resistência do em-estado, uma velocidade de comutação rápida e uma alta tensão da divisão para o desempenho robusto.
Os 3- o pacote de XFLGA fornece a gestão térmica excelente e um projeto do perfil baixo para a integração fácil em uma variedade de aplicações. O NTNS 3193 NZT 5G é ideal para o uso em aplicações de comutação de alta velocidade tais como conversores de DC/DC, fontes de alimentação, controlo do motor e iluminação do diodo emissor de luz.
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