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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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6.9mOhm @ 14A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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28 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1850 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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2.5W (Ta), 33W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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8-PQFN (5x6)
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Pacote/caso
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O FDMS7680 é um dispositivo avançado da eletrônica de poder do MOSFET do N-canal. É abrigado em um pacote 8-PowerTDFN, fazendo o ideal para uma vasta gama de aplicações. O FDMS7680 é projetado fornecer a eficiência elevada e baixas perdas de comutação. O dispositivo é aperfeiçoado para fornecer a baixa carga da porta e baixa a capacidade de saída, fazendo o ideal para aplicações de comutação.
O FDMS7680 caracteriza uma baixa resistência do em-estado que possa reduzir perdas da condução e minimizar a dissipação de poder, fazendo lhe uma escolha ideal para aplicações da gestão do poder. O dispositivo é igualmente RoHS complacente, fazendo lhe uma opção a favor do meio ambiente.
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