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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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22mOhm @ 8A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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33 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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2110 PF @ 75 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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3.1W (Ta), 132W (Tc)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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TO-252AA
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Pacote/caso
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O FDD 86250 é um três-terminal, transistor do efeito de campo do Metal-Óxido-semicondutor do poder do N-canal (MOSFET) projetado operar-se em uma vasta gama de aplicações de comutação do poder. É abrigado em um pacote TO-252-3, fazendo o ideal para o uso no estojo compacto e em sistemas eletrônicos da espaço-economia. Este MOSFET caracteriza uma avaliação alta da tensão de obstrução de 600V e uma baixa resistência do em-estado de 0,072 ohms.
Tem uma avaliação atual do dreno contínuo de 25A e uma corrente máxima do pulso de 78A, fazendo a apropriada para aplicações de comutação de alta potência. O FDD 86250 igualmente caracteriza uma velocidade de comutação rápida para a eficiência de sistema aumentada assim como uma baixa carga da porta para o consumo de potência reduzido. Seu projeto avançado assegura o desempenho seguro em uma vasta gama de condições operacionais.
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