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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FDP26N40 - Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais

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China FDP26N40 - Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais wholesale
  • China FDP26N40 - Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais wholesale

FDP26N40 - Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais
Pergunte o preço mais recente
Number modelo :FDP26N40
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :400 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :26A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :160mOhm @ 13A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :60 nC @ 10 V
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FDP 26N40 - eletrônica de poder de capacidade elevadado MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais
 
 
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
400 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
26A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
160mOhm @ 13A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
3185 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
265W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220-3
Pacote/caso
TO-220-3

 

 

Lista do produto: FDP26N40

Fabricante: No semicondutor

Descrição do produto: Este é um transistor de poder do MOSFET do N-canal com uma avaliação de VDS de 400V e uma avaliação da identificação de 26A. Tem um RDS (sobre) de 0.19Ω e uma temperatura de funcionamento máximo de 175°C. Caracteriza uma capacidade de comutação de alta velocidade, uma baixa carga da porta e uma baixa resistência do em-estado.

Características:
• transistor de poder do MOSFET do N-canal
• Avaliação de VDS de 400V
• Avaliação da identificação de 26A
• RDS (sobre) de 0.19Ω
• Temperatura de funcionamento máximo de 175°C
• Capacidade de comutação de alta velocidade
• Baixa carga da porta
• Baixa resistência do em-estado

 

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• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do fornecimento do transporte ao comprador global.
 
FDP26N40 - Eletrônica de poder de capacidade elevada do MOSFET do N-canal 400V para aplicações industriais

 

 

 

Etiquetas de Produtos:

1n5400 diode specifications

650nm diode

1n4001 rectifier diode
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