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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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1.5Ohm @ 10mA, 4V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.4V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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nC 1,15 @ 5 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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21 PF @ 5 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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690mW (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-23-3 (TO-236)
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Pacote/caso
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O NTR 4003 NT1G é um MOSFET do poder do modo do realce do P-canal com um pacote TO-236-3. É projetado minimizar a resistência do em-estado e fornecer o desempenho de comutação superior.
O dispositivo tem uma tensão de funcionamento da dreno-fonte de -20 V e uma corrente contínua do dreno de -3 A. É apropriado para o uso na baixa tensão, inversores de alta frequência, livra a roda, e as aplicações da proteção da polaridade. O dispositivo é igualmente RoHS complacente e halogênio livre. O NTR 4003 NT1G é garantido para fornecer a operação segura sobre uma variação da temperatura larga do °C -55 +a150°C.
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