Dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET do modo do realce do N-canal do semicondutor FDBL86066-F085 de Fairchild

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Number modelo :FDBL86066-F085

Lugar de origem :Original

Quantidade de ordem mínima :1

Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidade da fonte :999999

Prazo de entrega :1-3 dias

Detalhes de empacotamento :Padrão

Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :185A (Tc)

Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :10V

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :4.1mOhm @ 80A, 10V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :69 nC @ 10 V

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Etiquetas de Produtos:

n channel power mosfet

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Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	185A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	4.1mOhm @ 80A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	3240 PF @ 50 V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	300W (Ta)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-HPSOF
Pacote/caso	8-PowerSFN