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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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25mOhm @ 6.3A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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3V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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15 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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570 PF @ 15 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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1.6W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SuperSOT™-6
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OBN de FDC 655 é um MOSFET do poder do N-canal do semicondutor de Fairchild, abrigado em um pacote SOT-23-6. Oferece uma baixa em-resistência de 0,04 Ω, uma baixa tensão do ponto inicial de 1,0 V, e uma corrente contínua alta do dreno de 2,5 A. OBN de FDC 655 oferece o desempenho de comutação superior com uma velocidade de comutação rápida, e é apropriado para uma vasta gama de aplicações.
Este dispositivo é projetado com uma temperatura de junção máxima do°C 150 e uma tensão de divisão avaliado da dreno-fonte de 30V. Tem uma baixa capacidade entre a porta e a fonte, tendo por resultado baixas perdas de comutação e a eficiência melhorada. OBN de FDC 655 é ideal para o uso em aplicações a pilhas, porque seu baixo consumo atual permite que estenda a vida da bateria. É igualmente ideal para o uso em sistemas de gestão do poder e em outras aplicações de comutação de alta velocidade.
OBN de FDC 655 é RoHS complacente e caracteriza características de proteção integradas tais como a proteção da sobretensão, proteção da sobrecarga, e procura um caminho mais curto a proteção. Igualmente tem uma característica de proteção de superaquecimento incorporado. OBN de FDC 655 é uma escolha excelente para soluções de capacidade elevada, seguras, e eficazes na redução de custos do poder.
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