Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operação de alta temperatura

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Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operação de alta temperatura

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Number modelo :FDPF18N20FT
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :200 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :18A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :140mOhm @ 9A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :26 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±30V
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Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operação de alta temperatura
 
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±30V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1180 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
41W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-220F-3
Pacote/caso

 

 

Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT no semicondutor

Descrição do produto:

O FDPF18N20FT é um de alta velocidade, MOSFET do poder no semicondutor. É projetado fornecer o desempenho excelente em uma vasta gama de aplicações, incluindo a conversão de alta frequência do interruptor e de poder. O dispositivo caracteriza uma estrutura integrada do MOSFET de PowerTrench e uma tecnologia de empacotamento avançada.

Características:

• Baixa em-resistência
• Interruptor de alta velocidade
• Desempenho térmico excelente
• Proteção robusta do ESD
• Pb-livre e RoHS complacentes

Especificações:

• Tensão da Dreno-fonte: 20V
• Em-resistência da Dreno-fonte: 0.39Ω
• Carga da porta: 17nC
• Tensão de interrupção da Dreno-fonte: 0.35V
• Tensão da Porta-fonte: 5.5V
• Corrente máxima do dreno: 25A
• Dissipação de poder máxima: 200W
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C

 

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Eletrônica de poder do MOSFET de FDPF18N20FT – elevado desempenho que comuta a baixa Em-resistência e a operação de alta temperatura

 

 

 

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