Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do pacote SOT-23-6 da eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ

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Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do pacote SOT-23-6 da eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ

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Number modelo :FDC608PZ
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :P-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :20V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±12V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ
Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do pacote SOT-23-6

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
30mOhm @ 5.8A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
1.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
23 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±12V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1330 PF @ 10 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SuperSOT™-6
Pacote/caso

 

 

 


Descrição

 


Isto P−Channel que 2,5 V especificaram o MOSFET é produzido usando o processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi que foi
costurou especialmente para minimizar a resistência do on−state no entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho de comutação superior. Estes
os dispositivos são bem - serido para aplicações da bateria: interruptor da carga e gestão do poder, circuitos de bateria, e dc−dc
conversões.

 


Características


• – 5,8 A, – 20 V. RDS (SOBRE) = 30 m @ VGS = – 4,5 V
RDS (SOBRE) = 43 m @ VGS = – 2,5 V
• Baixa carga da porta
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
• SuperSOT TM – pacote 6: Pegada pequena (72% menor do que
) Perfil baixo SO-8 padrão (1 milímetro grosso)
• Estes dispositivos são Pb−Free e alogenuro livres

 

 

 

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• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do fornecimento do transporte ao comprador global.

 

 

 

Circuitos de bateria especificados V do P-canal POWERTRENCH 2,5 do pacote SOT-23-6 da eletrônica de poder do MOSFET de FDC608PZ

 

 

 
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