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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4.5V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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30mOhm @ 5.8A, 4.5V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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1.5V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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23 nC @ 4,5 V
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Vgs (máximo)
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±12V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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1330 PF @ 10 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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1.6W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SuperSOT™-6
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Pacote/caso
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Descrição
Isto P−Channel que 2,5 V especificaram o MOSFET é produzido usando o processo avançado do POWERTRENCH dos onsemi que foi
costurou especialmente para minimizar a resistência do on−state no entanto para manter a baixa carga da porta para o desempenho de comutação superior. Estes
os dispositivos são bem - serido para aplicações da bateria: interruptor da carga e gestão do poder, circuitos de bateria, e dc−dc
conversões.
Características
• – 5,8 A, – 20 V. RDS (SOBRE) = 30 m @ VGS = – 4,5 V
RDS (SOBRE) = 43 m @ VGS = – 2,5 V
• Baixa carga da porta
• Tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE)
• SuperSOT TM – pacote 6: Pegada pequena (72% menor do que
) Perfil baixo SO-8 padrão (1 milímetro grosso)
• Estes dispositivos são Pb−Free e alogenuro livres
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