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Tipo do FET
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Tecnologia
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MOSFET (óxido de metal)
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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128mOhm @ 2.8A, 10V
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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4V @ 250µA
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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7 nC @ 10 V
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Vgs (máximo)
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±20V
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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395 PF @ 75 V
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Característica do FET
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-
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Dissipação de poder (máxima)
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2.2W (Ta)
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Temperatura de funcionamento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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SOT-223-4
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Pacote/caso
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Lista do produto:
Na eletrônica de poder do Mosfet do semicondutor FDT86244
Descrição:
No semicondutor FDT86244 é um de grande eficacia, dispositivo da eletrônica de poder do MOSFET da baixa potência projetado entregar o desempenho superior em uma vasta gama de aplicações. Oferece uma frequência de comutação de alta velocidade com baixa carga da porta e baixa em-resistência. É apropriado para aplicações de alta potência tais como o controlo do motor, a conversão de DC-DC, e a gestão do poder.
Características:
• Baixa em-resistência: 0.086mΩ típico
• Interruptor de alta velocidade: 4.5V/ns típico
• Baixa carga da porta: 7nC típico
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a 175°C
• Tensão máxima da dreno-fonte: 100V
• Corrente máxima do dreno: 100A
• Pacote: TO-220, TO-220F, TO-247, TO-247AD, TO-252, e D2PAK