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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder

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China MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder wholesale
  • China MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder wholesale

MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder
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Number modelo :NTMFS4C025NT1G
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :20A (Ta), 69A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :3.41mOhm @ 30A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :26 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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MOSFET NTMFS 4C025NTdo poder1G para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder
 
 
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
30 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
20A (Ta), 69A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
3.41mOhm @ 30A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1683 PF @ 15 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2.55W (Ta), 30.5W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacote/caso
8-PowerTDFN, 5 ligações

 

 

Lista do produto:

Nome do produto: NTMFS4C025NT1G
Fabricante: No semicondutor
Tipo de produto: Eletrônica de poder do MOSFET

Parâmetros:

• Tensão da Dreno-fonte (Vdss): 25V
• Tensão da Porta-fonte (Vgs): 20V
• Drene a corrente (identificação): 4A
• Em-resistência estática da Dreno-fonte (RDS): 0.0055ohm
• Dissipação de poder (paládio): 2.25W
• Variação da temperatura de funcionamento: -55°C a +150°C
• Montagem: SMD/SMT

 

 

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MOSFET NTMFS4C025NT1G do poder para aplicações de capacidade elevada da conversão do interruptor e de poder

 

 

 

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