Força da energia do N-canal QFET do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT1N60CTF-WS
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Tipo do FET
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Tecnologia
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Drene à tensão da fonte (Vdss)
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Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
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Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
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RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
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Identificação de Vgs (th) (máximo) @
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Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
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Característica do FET
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Dissipação de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamento
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Montando o tipo
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Pacote do dispositivo do fornecedor
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Pacote/caso
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Descrição
Este MOSFET do poder do modo do realce de N−Channel é utilização produzida na listra planar proprietária do semicondutor e na tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada do MOSFET foi costurada especialmente para reduzir a resistência do on−state, e para fornecer o desempenho de comutação superior e a força alta da energia da avalancha. Estes dispositivos são apropriados para fontes de alimentação comutadas do modo, correção de fator de poder ativo (PFC), e reatores eletrônicos da lâmpada.
Características
• 0,2 A, 600 V, RDS (sobre) = 9,3 (tipo.) @ VGS = 10 V, identificação = 0,1 A
• Baixa carga da porta (tipo. 4,8 nC)
• Baixo Crss (tipo. 3,5 PF)
• A avalancha 100% testou
• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHS complacente
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