Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Poder de comutação variável do desempenho do interruptor do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT7N10LTF

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Poder de comutação variável do desempenho do interruptor do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT7N10LTF

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Number modelo :FQT7N10LTF
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1 - 3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Tipo do FET :N-canal
tecnologia :MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100V
Montando o tipo :Montagem de superfície
Vgs (máximo) :±20V
Temperatura de funcionamento :-55°C ~ 150°C (TJ)
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Poder de comutação variável do desempenho do interruptor do N-canal do pacote da eletrônica de poder TO-261-4 do MOSFET de FQT7N10LTF

 

 

 

 

 

Tipo do FET
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
350mOhm @ 850mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
290 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-223-4
Pacote/caso

 

 

 

Descrição


Este MOSFET do poder do modo do realce do N-canal é produzido usando a listra planar proprietária do semicondutor de Fairchild e a tecnologia de DMOS. Esta tecnologia avançada do MOSFET foi costurada especialmente para reduzir a resistência do em-estado, e para fornecer o desempenho de comutação superior e a força alta da energia da avalancha. Estes dispositivos são apropriados para fontes de alimentação comutadas do modo, o amplificador audio, o controlo do motor da C.C., e aplicações de comutação variáveis do poder.

 

 


Características


• 1,7 A, 100 V, mΩ =350 do RDS (sobre) (máximo) @VGS=10 V, ID=0.85 A

• Baixa carga da porta (tipo. 5,8 nC)

• Baixo Crss (tipo. 10 PF) • A avalancha 100% testou

 

 

 

 

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