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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

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China FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder wholesale
  • China FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder wholesale

FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder
Pergunte o preço mais recente
Number modelo :FDD3672
Lugar de origem :Original
Quantidade de ordem mínima :1
Termos do pagamento :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :999999
Prazo de entrega :1-3 dias
Detalhes de empacotamento :Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :6.5A (Ta), 44A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :28mOhm @ 44A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :36 nC @ 10 V
Vgs (máximo) :±20V
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FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

 

 

Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
6.5A (Ta), 44A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
28mOhm @ 44A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1710 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
TO-252AA
Pacote/caso
TO-252-3, DPak (2 ligações + abas), SC-63
 
 

Lista do produto:

No semicondutor FDD3672 - MOSFET do poder do N-canal

O FDD3672 é um MOSFET do poder do N-canal fabricado perto no semicondutor. Oferece a dissipação de poder excelente, a baixa carga da porta e a velocidade de comutação rápida.

 

Características:
• tensão de divisão da dreno-fonte 100V
• Corrente contínua máxima do dreno de 10.2A
• Baixa carga da porta: Qg = 16nC típico
• Resistência máxima do em-estado da dreno-fonte de 0.48Ω
• Energia interna da avalancha avaliada em EAS = 7.3mJ
• Temperatura de junção de funcionamento máxima de 175°C
• Carga média da porta: Qg = 16nC típico
• Velocidade de comutação rápida: TD (sobre) = 10ns típico
• Pacote sem chumbo, RoHS-complacente

 

Porque compra de nós rapidamente do >>>/com segurança/convenientemente
• SKL é um depositário conservado em estoque e uma empresa de comércio de componentes eletrônicos. Nosso escritório de ramos inclui China, Hong Kong, Sigapore, Canadá. Negócio, serviço, resourcing e informação da oferta para nosso membro global.
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• Nós tentaremos responder o mais rapidamente possível. Mas devido à diferença do fuso horário, reserve por favor até 24 horas obter seu correio respondido. Os produtos foram testados por alguns dispositivos ou software, nós asseguramo-nos de que não haja nenhum problema da qualidade.
• Nós somos cometidos ao serviço rápido, conveniente e seguro do fornecimento do transporte ao comprador global.
 
FDD3672 - Transistor do MOSFET do poder superior para aplicações avançadas da eletrônica de poder

 

 

 

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